זיכרון דינמי בעל 3 רמות לוגיות

Ternary Gain-Cell eDRAM

תיאור הפרויקט ותכולתו:

זיכרונות מטמון, אשר בדר"כ ממומשים על ידי זכרונות סטטיים (SRAM), צורכים מעל 50% שטח והספק של מערכות על שבב. זיכרונות דינמיים מוטמעים מסוג Gain-Cell הם אלטרנטיבה לSRAM. זכרונות אלו שומרים את הערך בתאים על ידי מטען הטעון על קבל. בפרוייקט זה יבוצע תיכנון ואנליזה של זכרונות Gain Cell המאפשרים שמירה של שלושה ערכים בתא זיכרון בודד ובכך מקטינים משמעותית את צריכת ההספק והשטח של מערכי זיכרון אלו.

Cache memories, mostly implemented with conventional 6T SRAMs, consume over 50% of the area and power budget of system-on-chips. Gain-Cell eDRAM are dynamic memories which store data in the form of charge on a parasitic capacitor. In this project, we will analyze and design a ternary memory array based on GC-eDRAM. The possibility to store three voltage levels in one memory cell can significantly reduce the total area and power consumption of the array.

דרישות:

מעגלים משולבים ספרתיים

מקורות:

אין

email: robertgi316@gmail.com