פיתוח מנגנון ריענון לזיכרון היברידי

Refresh Mechanism Hybrid Memory

תיאור הפרויקט ותכולתו:

זיכרונות מטמון, אשר בדר"כ ממומשים על ידי זכרונות סטטיים, צורכים מעל 50% שטח והספק של מערכות על שבב. זיכרונות דינמיים מסוג Gain-Cell מחזיקים את הערך בזיכרון על ידי מטען הנשמר על קבל ומאופיינים בצריכת שטח והספק קטנים יותר מזיכרון סטטי, אך עם זאת הם דורשים ריענון המידע על הזיכרון, דבר אשר פוגע בזמינות הזיכרון. זיכרון היברידי המשלב SRAM וGain Cell eDRAM מאפשר לשמור את המידע בזיכרון דינמי הצורך פחות הספק, ובנוסף מאפשר הפעלה של SRAM לביצוע פעולת הrefresh ללא פגיעה בזמינות הזיכרון. בפרוייקט זה, הסטודנטים ימממשו מערך זיכרון היברידי, ויתכננו מנגנון refresh מתאים.

Cache memories, mostly implemented with conventional 6|T SRAMs, consume over 50% of the area and power budget of system-on-chips. Gain-Cell eDRAM are an alternative to SRAMs as they are more dense, consume less leakage power and provide two-ported operation. However, these memories require frequent refresh cycles which result in long periods when the memory is unavailable.
An Hybrid memory cell combines the advantages of SRAM and eDRAM to form a memory which consumes the leakage power of eDRAM and uses an SRAM keeper to perform refresh which does not reduce the availability of the memory array.
In this project, the students will design and implement an Hybrid memory array, including layout, post layout-simulations and design of a refresh algorithm.

דרישות:

מעגלים משולבים ספרתיים

מקורות:

אין

email: robertgi316@gmail.com