Design and Integration of refresh scheme for embedded DRAM

תכנון ויישום מערכת רענון לזכרון דינאמי משולב

מספר פרויקט
208
סטטוס - הצעה
הצעה
אחראי אקדמי
שנה
2025

הרקע לפרויקט:

זכרון דינמאי סובל מבעיה של זליגת מידע, בניגוד לSRAM . לכן נדרש לבצע פעולות רענון בזכרון על מנת לשמר את המידע. פעולת רענון זו צורכת הספק, גוזלת זמן גישה לזכרון ועולה בשטח מהארכיטקטורה השלמה של הזכרון ולכן היא מהווה נקודה למחקר.

מטרת הפרויקט:

המטרה הפרוייקט היא לפתח מנגון רענון חכם ויעיל, שישולב בזכרון הדינאמי .

תכולת הפרויקט:

הפרוייקט נעבוד על וירטואוזו, תחילה נבין איך עובד הזכרון הדינאמי ונבצע סימולציות רבות סביב התא הבודד. לאחר מכן נעבור לרמה של המאקרו כולו של הזכרון ונממש מסלול כתיבה וקריאה מהזכרון אליו נשלב לבסוף את מנגנון הרענון.

קורסי קדם:

מעגלים משלובים או/ו מעגלים ספרתיים (יחד עם המעבדה)

דרישות נוספות:

ידע ב virtuoso

מקורות:

Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip - book

תאריך עדכון אחרון : 29/09/2024