Exploring dynamic embedded memories

הרקע לפרויקט:

כיום חלק עיקרי בצ'יפים הם זיכרונות. ביצועי המערכת האופטימליים מושגים כאשר כמות גדולה יותר של זיכרון משולבת ישירות על השבב, במקום להסתמך על שבבי זיכרון חיצוניים. בהיררכיית הזיכרון, טכנולוגיית SRAM עם תאי זיכרון של 6T נפוצה מאוד, אך יש לה חיסרון של שטח גדול. הGain Cell הוא זיכרון דינמי, הוא מהווה אלטרנטיבה טובה - צפיפות גבוהה, צריכת הספק נמוכה, אך החיסרון ביחס ל-SRAM הוא זליגה אפשרית של מידע, מה שמצריך פעולות רענון תקופתיות.

מטרת הפרויקט:

לזיכרון דינאמי זה מספר טופולוגיות הנבדלות אחת מהשנייה בכמות הטרנזיסטורים וסוגם, נרצה לחקור את ההבדלים מבחינת מהירות, צריכת הספק ועוד.

תכולת הפרויקט:

בניה של מגוון תאי זיכרון שונים והרצת סימולציות על מנת למדוד אותם , נרצה להבין את ההבדלים, את המגבלות שנובעות מבחינת זליגה ולהשוות את התוצאות

קורסי קדם:

מעגלים משולבים, מעגלים ספרתיים + מעבדה

דרישות נוספות:

ידע בוירטואוזו

מקורות:

Meinerzhagen, Pascal, Adam S. Teman, Robert Giterman, Noa Edri, Andreas Burg, and Alexander Fish. Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip / Pascal Meinerzhagen, Adam Teman, Robert Giterman, Noa Edri, Andreas Burg, Alexander Fish. Cham, Switzerland: Springer, 2018.