חקר בהתקן זיכרון בלתי נדיף NROM

שלחו לחבר
שנה
2006
מבצעי הפרוייקט
  • דנה הרן
  • יואב גנץ
 
 פרויקט מצטיין 
 
רכיב NROM הוא טרנזיסטור MOSFET  מסוג NMOS שמסוגל להכיל 2 ביטים של מידע בו זמנית ע"י אחסון מטען ב-Gate . רכיב NROM משמש לטכנולוגית Flash memory ול- multi-level cell (מס' תאי זיכרון בהתקן בודד). הרכיב הוא פריצת דרך בשוק הזיכרונות הלא נדיפים מכיוון שיש לו מספר יתרונות בולטים כגון יכולת אחסון 2 או 4 ביטי מידע בו זמנית והוא מיוצר בתהליך פשוט שחוסך עלויות.
Study of memory device NROM
by Dana Hern & Yoav Gantz

Excellence prize

Non volatile memory knows also today as flash memory can retain stored information even without a power source. This memory is useful when you can not supply constant power to the system like mobile phone, cameras, portable music players, communication routers and switches. Each of these products requires a non-volatile memory device in order to store the products operation system and for the increasing capacity storage for photograph, video, music and documents.