מימוש זיכרונות רבי-גישה מבוססי תאי ספרייה סטנדרטיים

Multi-ported standard cell memories

תיאור הפרויקט ותכולתו:

אחת היחידות החיוניות והחשובות ביותר בשבבי סיליקון הינה הזיכרון. מרבית הזיכרונות הגדולים ממומשים באמצעות תכנון custom, אך במקרים רבים, נדרש לשלב זיכרון קטן ובעל תכונות מיוחדות, אשר לא תמיד זמין במהדר הזיכרונות. במקרים אלו, בד"כ הזיכרון מתואר בשפת ה-HDL וממומש באמצעות תהליכים סטנדרטיים. בפרויקט זה, הסטודנטים יממשו זיכרונות מבוססות תאי ספרייה סטנדרטיים, אשר ישפרו במידה ניכרת את המימוש הרגיל ויאפשר מימוש זיכרונות multi-ported יעילים מאד מבחינת שטח, הספק, מהירות, ותפקוד תחת מתחים נמוכים.

דרישות:

רצוי מבוא למעגלים משולבים. בסמסטר א' נדרש לקחת קורס VLSI.

מקורות:

A. Teman, D. Rossi, P. Meinerzhagen, L. Benini and A. Burg, "Controlled placement of standard cell memory arrays for high density and low power in 28nm FD-SOI," The 20th Asia and South Pacific Design Automation Conference, Chiba, 2015, pp. 81-86.

email: adam.teman@biu.ac.il