פיתוח מטודולוגיה חדשה לבחינת יציבות של מעגלי SRAM

שלחו לחבר
שנה
2015

 A black box methodology for SRAM stability analysis

תיאור הפרויקט:

המטרה של פרוייקט זה היא לפתח מטודולגיה פשוטה, מדוייקת וגנרית לאיפיון יציבות של תאי זיכרון SRAM. התוצר הסופי של המטודולוגיה יהיה "קופסה שחורה" אשר ניתן להכניס לתוכה את תא הSRAM והמוצא המתקבל יהיה מורכב מאוסף מידע המתאר בצורה מלאה את היציבות של התא. על השיטה להתאים לכלל תאי הזיכרון הקיימים וללא תלות בטכנולוגיית הייצור.

תכולת הפרויקט:

1. הגדרת היציבות – בשלב הראשון יבוצע סקר ספרות שבמסגרתו יילמדו השיטות הקיימות להגדרת ומדידת היציבות של תאי SRAM. שיטות אלו כוללת static/dynamic stability analysis. טכניקות אלו ינותחו וישמשו להגדרת יציבות חדשה הלוקחת בחשבון את הפרמטרים של איפיון סטטי ודינמי ליציבות.
2. בהמשך לסעיף 1, תבוצע השוואה בין השיטות הקיימות והמוצעות תחת פרמטרים שונים כגון זמן הסימולציה, דיוק, התאמה לתאי SRAM שונים. אנליזה זו תאפשר לבחור את המטריקה המתאימה ביותר ולבצע שיפורים למעגלים השונים בהתאם לתוצאות המתקבלות.
3. בשלב זה תוצע המטודולוגיה המתאימה אשר תאפשר למדוד את היציבות של תאי SRAM שונים בצורה מדוייקת ומהירה. מטודולוגיה זו תקבל תא SRAM בתור כניסה והמוצא שלה יאפיין את יציבות המעגל, ויאפשר לבצע שיפורים הנדרשים לשיפור הייציבות

 

דרישות:

מעגלים אלקטרונים ספרתיים ומעבדת 

בשיתוף עם:

מקורות:

[1] M. Wieckowski et al., “A black box method for stability analysis of arbitrary sram cell structures,” in Proceedings of   the Conference on Design, Automation and Test in Europe. European Design and Automation Association, 2010, pp. 795–800.
[2] M. Sharifkhani et al., “SRAM cell stability: A dynamic perspective,” Solid-State Circuits, IEEE Journal of, vol. 44, no. 2, pp. 609–619, 2009."
[3] J. Lohstroh, “Static and dynamic noise margins of logic circuits,” Solid- State Circuits, IEEE Journal of, vol. 14, no. 3, pp. 591–598, 1979.

email: robert.giterman@biu.ac.il

 

מנחה חיצוני
רוברט גיטרמן