תיכנון של זיכרון מבוסס embedded DRAM כנגד פגעי קרינה בחלל

Design embedded DRAMs memories for space applications 

תיאור הפרויקט:

ישנה בעיה ידועה באמינות של רכיבים אלקטרוניים הנשלחים לחלל הנובעת מפגעי קרינה המצויה מחוץ לאטמוספירה של כדור הארץ. רכיב זיכרון הcache של שבבים אלקטרונים הינו אחד הפרויקט יעסוק בניתוח הבעיה והבנתה, ובמתן מענה מקורי. הפרויקט יכלול גם תכנון וביצוע של הזיכרון המוצע.החלקים החשובים וגם הפגיעים ביותר מבחינת קרינה בשבב. אחת הדרכים המקובלות לפתרון הבעיה היא לקיחת שלושה זיכרונות במקביל וע"י החלטת הרוב לקבוע מה המידע הנכון במידה והמידע באחד הזיכרונות נפגע. פיתרון זה צורך המון מקום על השבב דבר שמיקר את עלותו ועלות הפיתוח שלו. שילוב של זיכרונות דינמיים מסוג eDRAM Gain Cells יכול להוות פיתרון לבעיית המקום ובעל אופציה לפתרונות מקוריים לבעיה. בנוסף צריכת הספק נמוכה הינה תכונה נחוצה במערכות חלל כאשר אין זמינות קבועה למקורות אנרגיה.

תכולת הפרויקט:

הסטודנטים יידרשו ללימוד את הבעיות בשליחת רכיבים אלקטרוניים מחוץ לאטמוספירת כדור הארץ למידת פתרונות קיימים. למידת רקע על זיכרונות דינמיים eDRAM Gain cell יתרונותיהם וחסרונותיהם והצעת פתרון חדש לבעיה תוך שימוש בכלי סימולציה (cadence).

דרישות:

מעגלים אלקטרונים ספרתיים ומעבדת VLSI

בשיתוף עם:

מקורות:

דוא"ל: amit.kazimirsky@biu.ac.il