גילוי ותיקון שגיאות במערכי זיכרון מסוג GC-eDRAM

שלחו לחבר
שנה
2016
אחראי אקדמי

Error Detection and Correction in GC-eDRAM Arrays

תיאור הפרויקט ותכולתו:

זיכרונות מוטמעים מסוג Gain Cell הינם אלטרנטיבה לזכרונות SRAM לצורך מימוש זיכרונות cache למערכות על שבב, היות והם ניתנים למימוש תוך צריכת שטח והספק נמוכים יותר מSRAM. קודים לתיקון שגיאות הם חלק חשוב מזכרונות, היות והם מאפשרים למערכות לפעול בנתאי עבודה אופטמיליים ויעילות אנרגטית גבוהה יותר. בנוסף, מערכות המופעלות בסביבות בעלי קרינה גבוהה, כגון חלל, עלולים לספוג היפוך מידע בזיכרונות עקב פגיעת חלקיקים בסיליקון. אלגוריתמי תיקון שגיאות הנפוצים כיום מיועדים לזכרונות SRAM ומעט עבודה נעשתה למימוש אלגוריתמי שגיאות עבור זכרונות GC-eDRAM. בנוסף, זכרונות אלו ניתנים למימוש בצורה שההסתברות לשגיאה עבור אחד הסיבים (0 או 1) היא נמוכה מאוד, מכאן שניתן להשתמש באלגוריתמי ECC יעילים הרבה יותר.

Gain Cell eDRAM are an alternative to SRAMs for the implementation of cache memories for integrated system-on-chips (SoC), as they are smaller and consume less power than SRAMs. Error correction code (ECC) are an important part of memory macros, as they enable systems to operate at optimal conditions and reduce voltage and frequency guard bands, thus obtaining better energy efficiency. Furthermore, systems operated at high-radiation environments, such as space, may suffer bit flips in memory arrays due to energetic particles striking the silicon substrate. ECC algorithms today are aimed at SRAMs and little work has been done on error detection and correction techniques for GC-eDRAM. Furthermore, GC-eDRAM arrays can be designed so that the error probability of a certain bit is very low, enabling more efficient implementation of ECC.

דרישות:

מעגלים משולבים ספרתיים

מקורות:

אין

email: robertgi316@gmail.com