מגבר גילוי בעל הגבר ורוחב סרט גבוה עבור זכרון דינאמי מוטמע

High Gain, High Bandwidth Sense Amplifier for Embedded DRAM

In the world of IOT, there is a constant push for compact and low power memory. A very important type of memory, call Embedded Dynamic Random Access Memory (EDRAM), has been developed at Bar Ilan and has significant power and area advantages compared to SRAM and has thus attracted many industrial groups. One of the key blocks in the EDRAM is the sense amplifier. In this project, you will use advanced analog techniques to improve the gain, bandwidth and power of the EDRAM sense amp. The basic sense amp uses a CMOS inverter biased at its trip point. The manner in which it is biased and the structure of the inverting amp can be optimized to maximize performance and there are several novel analog techniques to do this. The successful conclusion of this project will involve the implementation of the sense amplifier on a Silicon IC and can result in an academic publication.

דרישות

768330301 אלקטרוניקה לינארית - חובה
768332501 מעבדה למעגלים אנלוגיים – חובה
8330801 מעגלים אלקטרוניים ספרתיים – חובה
83315 מעבדה מעגלים אלקטרוניים ספרתיים – חובה
מומלץ אחד משני קורסים האנלוגיים המתקדמים
768361101 מעגלים משולבים אנלוגיים או
83-621-01 תכנון מתקדם של מעגלים אנלוגיים בתהליכים דיגיטליים

מקורות:

A. Teman, “Replica Technique for Adaptive Refresh Timing of Gain-Cell-Embedded DRAM”, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS—II: EXPRESS BRIEFS, VOL. 61, NO. 4, APRIL 2014, pp. 259