ייצור ואפיון של התקני MoS2

Fabrication and Characterization of MoS2 - Based  Electronic Devices

שם המנחה / מנחים:    משה קירשנר  

אחראי אקדמי: ד"ר דורון נווה

תיאור הפרויקט:

תעשיית השבבים נמצאת כיום בתחרות עקבית על מנת לצמצם את שטח הטרנזיסטור בצ'יפ כך שיתאימו לחוק מור. מזעור המעגלים המשולבים צפוי להגיע בעתיד הקרוב לרוויה.  
לאור תגליות של השנים האחרונות נמצאו מספר חומרים בגדלים אטומיים כמו גרפן ומולבדינום דיסולפיד אשר נותנים מענה לבעיית המזעור. 
למוליבדינום בניגוד לגרפן יש BAND GAP גבוה אשר מסווג אותו כאיכותי למעגלים משולבים ולהתקני LOW POWER.

תכולת הפרויקט:     

בפרויקט זה ילמדו הסטודנטים על השיטות השונות לקבלת שכבות דקות של מוליבדנום דיסולפיד (MoS2) על מצע של סיליקון ותחמוצת סיליקון (Si\SiO2), יתכננו ויעברו על כל שלבי תהליך הייצור של  טרנזיסטור המבוסס על תעלת MoS2 עד לקבלת רכיב עובד. לבסוף יבצעו אפיון חשמלי של הרכיב המתקבל וישוו את התוצאות ביחס לטרנזיסטורי הסיליקון הקייימים היום.      

דרישות:  חובה: מבוא להתקני מל"מ , מכניקה קוונטית, התקנים אלקטרוניים;          

מקורות:

[1] RadisavljevicB, et al. (2011). "Single-layer MoS2 transistors." Nat Nano 6(3): 147-150.
[2] Kim, S., et al. (2012). "High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals." Nat Commun 3: 1011.